Análisis de modulación óptica externa en dispositivos semiconductores

Resumen

En este documento se presenta una exploración de diferentes investigaciones científicas y tecnológicas aplicadas al campo de las comunicaciones, en donde se analizaron dos técnicas de modulación óptica externa: en fase y en amplitud, las cuales se ocupan de modular la señal portadora óptica de forma externa al láser semiconductor del transmisor, con el objetivo de fundamentar el comportamiento físico de estos moduladores, sus parámetros básicos (índice de transmisión, reflexión, absorción), su composición espectral y la intensidad lumínica que genera el láser ante un tiempo constante (láser de onda continua). Gracias a ello se logró establecer las diferencias, ventajas y desventajas de los dos tipos de modulación óptica externa y finalmente se identificó que la modulación óptica externa en amplitud, es la técnica más eficiente ya que no presenta distorsión, transmite una mayor potencia, transfiere una gran cantidad de información en lapsos de tiempo muy cortos, no genera pérdidas y no se ve afectada por el fenómeno de dispersión cromática en la fibra óptica. Sin embargo, si se reemplaza el cristal de por el grafeno mejora la respuesta del modulador, pero limita su operación de trabajo a una longitud de onda cercana al infrarrojo, por lo tanto, se concluye que al utilizar otros materiales de naturaleza semiconductora se amplía el estudio de la modulación óptica, y la empleabilidad varía según las aplicaciones y el enfoque.